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sic mosfet与gan hemt低温特性测试及对比分析
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第一作者所在部门:
论文题目: sic mosfet与gan hemt低温特性测试及对比分析
论文题目英文:
作者: 田晨雨,郭文勇,赵闯,桑文举,于苏杭
论文出处:
刊物名称: 低温与超导
: 2022
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